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Samsung innove dans l’évolution de la mémoire vive !

Jugée de plus en plus difficile, la réduction de la finesse de gravure des processeurs et des mémoires vives est un défi technique qui ne semble pourtant pas arrêter les fabricants du secteur IT. Ainsi, Samsung vient de lancer des composants de mémoire gravés en 10 nanomètres (nm), une prouesse qui augure des avantages techniques ET énergétiques.

Tant du point de vue des processeurs que des composants de mémoire, la finesse de la gravure est un enjeu technique contre lequel même les géants du secteur peuvent parfois buter, à l’instar d’Intel qui a subi quelques revers courant 2015, dont l’annonce d’IBM et de ses avancées sur la réduction d’architecture des puces, ébranlant son statut de leader. Dans le domaine du stockage, ce sont d’autres acteurs qui sont en concurrences pour savoir qui parviendra à devancer dans les procédés de réduction de l’architecture des composants.

Ainsi, nous avions évoqué il y a quelques mois le cas de l’entreprise Micron, qui a réussi à passer la barre des 20nm en utilisant un procédé différent de ses concurrents (le Triple-Level Cell, TCL). Cela lui a permis de réduire ses coûts de production et de ce fait, le prix des modules de stockage flash (SSD, clés USB, etc.) mais avec, en contrepartie, une baisse du nombre d’écritures possibles, donc une diminution de la durée de vie de ce type de composant… Ainsi, l’avancée technique se révélait bénéfique sur certains points, mais le choix d’utiliser ce procédé se faisait aussi au détriment de critères de durabilité.

C’est maintenant l’entreprise Samsung qui amène des innovations notables pour les composants de PC et de serveurs. En effet, l’entreprise a annoncé fin 2015 le lancement de la production de barre de mémoire vive (ou RAM pour Random Access Memory) pouvant atteindre 128 Gigaoctets (Go) d’espace de stockage. Pour le moment, destinée aux serveurs, cette barrette n’est pas disposée à équiper le processeur d’ordinateur personnel, dans la mesure où les puces standards équipant ces derniers ne peuvent accueillir que 64Go de RAM au maximum. Pour parvenir à se hisser plus haut dans l’espace de stockage à disposition, le géant coréen a utilisé un procédé baptisé TSV (Through Silicon Via) (schéma ci-dessous) permettant d’améliorer les performances des barrettes de RAM mais également, de réduire leur consommation d’énergie (aucun chiffre n’a encore été donné pour le moment).

Crédit photo : ZDNet
Crédit photo : ZDNet

Récemment, c’est sur le terrain de la finesse de gravure qu’est revenu le géant coréen. En effet, ce dernier a lancé la production de composants de mémoire RAM dont l’architecture atteint les 10nm. Une avancée complexe qui laisse présager des bénéfices autant sur le plan technique, qu’énergétique. L’entreprise entend les décliner sous la forme de puces DDR4 allant de 4 Go à 128 Go, respectivement pour les équipements du type PC portable et serveurs (pour les raisons évoquées plus tôt). À la différence des barrettes que Samsung proposait gravées à 20nm, la vitesse de celles à 10nm permet de passer à 3200 mégahertz (MHz) contre 2400MHz pour la génération précédente, soit un gain en termes de performances de 30% et une consommation énergétique plus sobre de 10 à 20% d’après l’entreprise coréenne !

Face à la difficulté de continuer la réduction de la finesse de gravure, les fabricants de processeurs et de composants de stockage semblent pourtant être encore capables de proposer des solutions le permettant… tout en admettant que cela devienne plus complexe techniquement ! Cependant, force est de constater que les avancées dans le domaine permettent d’améliorer la performance technique, mais aussi énergétique de ce type de composants, et donc de l’équipement qu’ils intègrent.

Un point appréciable quand on sait que de tels composants sont appelés à être installés dans des serveurs de datacenters ou plus localement, dans votre PC !

Crédit photo : Samsung